【探索】三星积极探索半导体封装领域◈◈ღ;比亚迪公开多项CTB技术升级方案专利◈◈ღ;之江实验室公开一种超分辨光刻方法专利
【嘉勤点评】三星的半导体封装专利◈◈ღ,通过利用半导体热电元件◈◈ღ,实现从半导体封装件吸热并且在基底散热大石彩香Jdb电子怎么玩◈◈ღ,使芯片封装件中产生的热量可以进一步向基板移动◈◈ღ,从而达到散热的目的◈◈ღ,同时改善了板级的温度循环可靠性◈◈ღ。
近日三星电子已经启动了一个半导体封装任务小组(TF)◈◈ღ,该团队直接由CEO领导◈◈ღ,旨在加强与大型代工客户在封装领域的合作◈◈ღ。
随着芯片集成密度和用户的迫切需要◈◈ღ,电子设备向小型化◈◈ღ、轻量化和多功能化方向发展◈◈ღ。然而◈◈ღ,这些需求会导致电子装置的功耗逐渐增加◈◈ღ,使得在包含半导体芯片的半导体封装件工作期间产生的热量会增加◈◈ღ,并且半导体芯片在被封装后实际上难以散热大石彩香◈◈ღ,从而容易导致发热严重◈◈ღ。目前◈◈ღ,经常使用散热块或散热通道来传递半导体封装件中产生的热量以达到散热的目的◈◈ღ,但是散热块或散热通道仅能用于传递热量◈◈ღ,其不能致冷◈◈ღ,因此其散热效果有限◈◈ღ。
为此◈◈ღ,三星于2022年2月9日申请了一项名为“半导体封装结构”的发明专利(申请号: 9.7)◈◈ღ,申请人为三星半导体(中国)研究开发有限公司◈◈ღ。
图1为具有半导体热电元件的半导体封装结构示意性剖视图◈◈ღ,半导体封装结构100包括半导体封装件110◈◈ღ、基板130◈◈ღ、焊球140以及半导体热电元件150◈◈ღ。其中半导体封装件包括芯片封装件101和封装件基板102大石彩香◈◈ღ,芯片封装件又包括半导体芯片和至少部分覆盖半导体芯片的包封材料◈◈ღ。芯片封装件中的半导体芯片通过引线键合或倒装的方式等电连接到封装件基板◈◈ღ。封装件基板通过焊球电连接到基板◈◈ღ。基板包括印刷电路板◈◈ღ、存储器模块板◈◈ღ、移动装置板或计算机主板◈◈ღ。
半导体热电元件位于封装件基板与基板之间◈◈ღ,基板向半导体热电元件施加电压◈◈ღ。半导体热电元件包括至少一个热电偶15◈◈ღ,其通过帕尔贴效应来执行冷却过程◈◈ღ。热电偶布置在封装件基板与基板之间以在竖直方向上与芯片封装件中的芯片叠置◈◈ღ。热电偶包括一对P型半导体15p和N型半导体15n◈◈ღ。半导体热电元件包括多个热电偶◈◈ღ,并且构成一个热电偶的P型半导体和N型半导体通过形成在封装件基板中的贯穿过孔151彼此电连接◈◈ღ。
通过与多个热电偶之中的第一个热电偶的P型半导体连接的垫152和与多个热电偶之中的最后一个热电偶的N型半导体连接的垫向半导体热电元件施加电压◈◈ღ,使得第一个热电偶的P型半导体被施加有负电压◈◈ღ,并且最后一个热电偶的N型半导体被施加有正电压大石彩香◈◈ღ。在这种情况下◈◈ღ,热量从半导体热电元件的顶部传递到底部Jdb电子怎么玩◈◈ღ,从而实现在半导体热电元件上方吸热并且在半导体热电元件下方散热◈◈ღ。由此◈◈ღ,芯片封装件中产生的热量可以在半导体热电元件的作用下经由封装件基板中的贯穿过孔进一步向基板移动◈◈ღ,从而达到散热的目的◈◈ღ。
简而言之◈◈ღ,三星的半导体封装专利◈◈ღ,通过利用半导体热电元件◈◈ღ,实现从半导体封装件吸热并且在基底散热◈◈ღ,使芯片封装件中产生的热量可以进一步向基板移动◈◈ღ,从而达到散热的目的◈◈ღ,同时改善了板级的温度循环可靠性◈◈ღ。
三星是电子技术领域的龙头企业◈◈ღ,引领技术创新◈◈ღ,不断重塑未来◈◈ღ。将来三星电子的特别工作小组能否找到在半导体封装领域与竞争对手抗争甚至保持领先的方法◈◈ღ,让我们拭目以待◈◈ღ。
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天眼查显示◈◈ღ,近日◈◈ღ,华大九天公开了一项名为“一种自治射频电路的包络分析一阶渐近近似方法”的发明专利◈◈ღ,该专利申请号为CN3.3◈◈ღ,发明人为周振亚◈◈ღ、程明厚◈◈ღ、吴大可◈◈ღ。
据介绍大石彩香◈◈ღ,该专利包括以下步骤◈◈ღ:设置自治电路方程中的调制信号参数◈◈ღ,将未知函数标准化为2π周期函数◈◈ღ,得到含参特征系统◈◈ღ;将所述调制信号参数进行周期化◈◈ღ;在周期化的均匀网格上计算出所述含参特征系统的一族周期稳态解◈◈ღ;计算所述含参特征系统的摄动投影向量和周期稳态解关于参数的导数◈◈ღ;利用积分关系式修正所述周期稳态解使其满足相位条件◈◈ღ;使用非均匀快速傅里叶变换计算修正后周期稳态解在非均匀格点上的取值◈◈ღ;输出仿真结果◈◈ღ。本发明自治射频电路的包络分析一阶渐近近似方法◈◈ღ,具有可控的精度与优秀的运行速度◈◈ღ,可为自治射频电路包络分析问题提供可靠的计算结果◈◈ღ。
除了如上专利◈◈ღ,华大九天近期还公开了“一种存储单元的识别方法◈◈ღ、设备及计算机可读存储介质”“一种平板显示版图物理验证中的单元矩阵合并方法”等多项专利◈◈ღ。
其中◈◈ღ,“一种平板显示版图物理验证中的单元矩阵合并方法”包括以下步骤◈◈ღ:1)进行单元拓扑排序◈◈ღ,将所有单元按照层次引用关系自顶向下排序◈◈ღ,形成链表◈◈ღ;2)指定当前单元◈◈ღ,并进行元素矩阵的识别◈◈ღ;3)计算单元引用重叠的区域◈◈ღ,并根据重叠区域将当前单元划分成多个分块◈◈ღ;4)在每一个重叠区域分块中◈◈ღ,将区域重叠的矩阵顺次合并◈◈ღ,组建新单元◈◈ღ,形成新单元的矩阵◈◈ღ;5)在当前单元之后插入新单元链表◈◈ღ,维护整个链表的拓扑顺序◈◈ღ。本发明的平板显示版图物理验证中的单元矩阵合并方法◈◈ღ,最大程度的降低单元引用之间的重叠区域◈◈ღ,避免版图布局最差情况的出现◈◈ღ,执行效率显著提升◈◈ღ,结果层次显著优化◈◈ღ,对检查过程本身以及后续的操作◈◈ღ,都具有十分积极的意义◈◈ღ。
天眼查显示Jdb电子怎么玩◈◈ღ,比亚迪于近日公开了“电池◈◈ღ、电池模组◈◈ღ、电池包和车辆”专利◈◈ღ,专利号为CN9.3◈◈ღ,发明人为王信月◈◈ღ、袁万颂◈◈ღ、程晗◈◈ღ、潘秋◈◈ღ、李凯◈◈ღ。
据介绍◈◈ღ,该实用新型公开了一种的电池◈◈ღ、电池模组◈◈ღ、电池包和车辆◈◈ღ,电池包括◈◈ღ:电池壳体◈◈ღ、防爆阀◈◈ღ。防爆阀设于电池壳体上◈◈ღ,防爆阀上设有刻痕槽◈◈ღ,防爆阀包括开启区◈◈ღ,在刻痕槽的深度方向上◈◈ღ,开启区的正投影的形状为非圆形◈◈ღ,所述开启区的正投影的外缘为预定开启边界◈◈ღ,且开启区的正投影的面积为S1◈◈ღ,防爆阀的正投影的面积为S大石彩香Jdb电子怎么玩◈◈ღ,所述S1◈◈ღ、S满足◈◈ღ:S1/S≥0.3◈◈ღ。
由此◈◈ღ,控制防爆阀的形状以使防爆阀适用不同形状的电池壳体上◈◈ღ,增加防爆阀的适用范围◈◈ღ,同时◈◈ღ,通过控制开启区与防爆阀的面积比◈◈ღ,以增加开启区在防爆阀中面积的占比◈◈ღ,增加防爆阀的工作效率◈◈ღ,以使电池受损后内部的压力能够及时泄出◈◈ღ,增加对电池的保护◈◈ღ,降低使用电池的成本◈◈ღ。
据了解◈◈ღ,该专利即为比亚迪此前官宣的CTB技术的升级方案之一◈◈ღ。根据比亚迪此前介绍◈◈ღ,CTB是将电池上盖与车身地板进一步合二为一◈◈ღ,从原来电池包“三明治”结构◈◈ღ,进化成整车的“三明治”结构◈◈ღ。动力电池系统既是能量体◈◈ღ,也是结构件◈◈ღ。这种融合简化了车身结构和生产工艺◈◈ღ,是对传统车身设计的一次颠覆性变革◈◈ღ。
CTB刀片电池包的结构灵感Jdb电子怎么玩◈◈ღ,来源于蜂窝铝结构◈◈ღ。刀片电池本身非常安全◈◈ღ,相邻电芯可以紧密排列在一起◈◈ღ。一排排的刀片电芯组成的结构就如蜂窝芯◈◈ღ,通过上盖板和底板组成类蜂窝结构◈◈ღ。这让CTB刀片电池包的结构强度得到突破◈◈ღ,能够顺利通过50吨重卡碾压的极端测试◈◈ღ。
新升级方案中◈◈ღ,比亚迪同日还公开了“一种电池连接件和电池包”“电池壳体◈◈ღ、单体电池和具有其的电池包”“车辆◈◈ღ、车辆的动力电池系统及其控制方法”等多种相关CTB专利技术◈◈ღ。
另外大石彩香◈◈ღ,比亚迪海豹是全球首款搭载CTB技术的量产车◈◈ღ,同时也是首款搭载iTAC技术◈◈ღ、后驱/四驱动力架构◈◈ღ、前双叉臂+后五连杆底盘悬挂的车型◈◈ღ。
国家知识产权局网站显示◈◈ღ,之江实验室日前公开一种基于双色双步吸收效应的超分辨光刻方法发明专利◈◈ღ。
根据专利说明◈◈ღ,该发明属于超分辨激光纳米直写光刻领域◈◈ღ,激光直写光刻技术具有3D加工能力◈◈ღ,且可以直接将电脑端设计的结构进行加工◈◈ღ,无需配合掩模版◈◈ღ,可广泛应用于硅光芯片◈◈ღ、新型传感器◈◈ღ、人工智能◈◈ღ、新型材料等新兴领域微纳加工◈◈ღ。
该发明针对传统双光子光刻技术依赖于飞秒激光光源或者皮秒激光光源◈◈ღ,并且高能量脉冲需要匹配高成本光学镜片◈◈ღ、脉冲展宽修正器件等问题◈◈ღ,提出了一种高精度◈◈ღ、快速纳米刻写方法◈◈ღ,基于苯偶酰光引发剂基态与三重态的光谱吸收特性◈◈ღ,利用一束材料基态吸收范围波长的激光束与另一束材料三重态吸收范围波长的激光束共同作用于材料中◈◈ღ,通过控制两者的能量实现双色双步吸收效应◈◈ღ,并且结合两者的相对位移控制◈◈ღ,从而获得小于衍射极限的刻写线宽◈◈ღ,可实现光栅条纹线nm)加工精度◈◈ღ,实现了超分辨纳米刻写能力◈◈ღ。JDB集团无人店铺◈◈ღ,jdbAPP官网◈◈ღ,
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